亚洲城报导:
    近日,中科院苏州纳米所印刷电子中心苏文明研究团队基于混合式印刷增材制造技术,优化压印模具结构参数,实现了2∶1深宽比和4μm线宽的凹槽结构,再结合刮填薄层纳米银油墨的种子层,用电筹沉铜技术在凹槽中填满致密的铜。由于电沉积过程金属铜完全限制在凹槽中只能单向生长,避免了扩线,从而获得高深宽比的铜网格,因而在不影响光透过率的情况下增加了金属网格的厚度,同时电镀的网格具有铜本征的高电导率,最终在86%的高透光率下,方块电阻低至0.03Ω/,FOM值超过80000(FOM是透明导电膜的综合质量因素,指光透过与方阻的比值,如ITO的FOM<300)。